晶圆厂分子污染测试
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信息概要
晶圆厂分子污染测试是半导体制造过程中至关重要的质量控制环节,旨在检测和分析晶圆表面及环境中的分子级污染物。这些污染物可能来自设备、材料、工艺气体或人为操作,对芯片性能和良率产生严重影响。通过的第三方检测服务,可以精准识别污染物种类和浓度,为晶圆厂提供优化工艺和环境的科学依据,确保产品可靠性和生产效率。
该检测服务涵盖多种污染物类型,包括有机化合物、金属离子、颗粒物等,通过高灵敏度仪器和方法实现痕量级分析。检测结果有助于预防缺陷、降低废品率,并满足行业标准(如ISO 14644、SEMI标准)的合规要求。
检测项目
- 总有机碳含量
- 挥发性有机化合物浓度
- 半挥发性有机化合物浓度
- 氨气浓度
- 硫酸盐含量
- 硝酸盐含量
- 氯离子浓度
- 氟离子浓度
- 钠离子浓度
- 钾离子浓度
- 铁离子浓度
- 铜离子浓度
- 镍离子浓度
- 锌离子浓度
- 铝离子浓度
- 颗粒物粒径分布
- 颗粒物数量浓度
- 硅氧烷类化合物
- 多环芳烃含量
- 塑化剂残留量
检测范围
- 洁净室空气
- 工艺气体
- 超纯水
- 化学试剂
- 光刻胶
- 清洗液
- 晶圆表面
- 设备内壁
- 手套箱环境
- 通风系统
- 包装材料
- 硅片原材料
- 研磨液
- 蚀刻液
- 沉积薄膜
- CMP浆料
- 光罩表面
- 载具表面
- 防静电材料
- 密封材料
检测方法
- 气相色谱-质谱联用法(GC-MS):用于挥发性有机物定性和定量分析
- 离子色谱法(IC):检测阴离子和阳离子污染物
- 液相色谱法(HPLC):分析半挥发性有机物
- 原子吸收光谱法(AAS):测定金属元素含量
- 电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS):痕量金属元素检测
- 傅里叶变换红外光谱法(FTIR):有机官能团鉴定
- 总有机碳分析仪(TOC):水样中有机碳总量测定
- 激光粒子计数器:空气中颗粒物数量及大小检测
- 石英晶体微天平(QCM):表面沉积物质量测量
- X射线光电子能谱(XPS):表面元素组成分析
- 二次离子质谱(SIMS):表面痕量成分深度剖析
- 热脱附-气相色谱法(TD-GC):吸附气体成分分析
- 荧光分光光度法:特定化合物灵敏度检测
- 动态顶空进样法:挥发性物质富集检测
- 扫描电子显微镜-能谱分析(SEM-EDS):颗粒物形貌及元素分析
检测仪器
- 气相色谱-质谱联用仪
- 离子色谱仪
- 液相色谱仪
- 原子吸收光谱仪
- 电感耦合等离子体质谱仪
- 傅里叶变换红外光谱仪
- 总有机碳分析仪
- 激光粒子计数器
- 石英晶体微天平
- X射线光电子能谱仪
- 二次离子质谱仪
- 热脱附仪
- 荧光分光光度计
- 动态顶空进样器
- 扫描电子显微镜
了解中析