半导体集成电路电压比较器检测

检测样品：半导体集成电路电压比较器

检测项目

输入失调电压VIo，输入失调电流lIO，输入偏置电流lIB，开环电压增益AVD，正电源电流!+，负电源电流l，静态功耗PD，共模抑制比KCMR，输出低电平电压VOL，高电平输出电流IOH，低电平输出电流IOL，键合强度，剪切强度，耐溶剂性，可焊性，键合强度(破坏性键合拉力试验)，老炼试验，稳态寿命，引线车固性，温度循环，耐湿，密封，机械冲击，扫频振动，恒定加速度，盐雾(盐汽)，静电放电敏感度的分级，粒子碰撞噪声检测试验，高温贮存

检测周期：7-15个工作日，试验可加急

检测标准

半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 SJ/T 10805-2018 5.1

半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 SJ/T 10805-20185.3

半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 SJ/T 10805-20185.5

半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 SJ/T 10805-20185.8

半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 SJ/T 10805-2018 5.7

半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 SJ/T 10805-20185.7

半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 SJ/T 10805-20185.7

半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 SJ/T 10805-20185.9

半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 SJ/T 10805-2018 5.14

半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 SJ/T 10805-20185.15

半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 SJ/T 10805-20185.16

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027B-20211101-1103

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027B-20211101

微电子器件试验方法和程序 GJB 548C-20212015.2

微电子器件试验方法和程序 GJB 548C-20212003.2

微电子器件试验方法和程序 GJB 548C-20212011.2

微电子器件试验方法和程序GJB 548C-2021 1015.1

检测流程

1、寄样

2、初检样品

3、报价

4、双方确定，签订保密协议，开始实验。

5、结束实验

6、邮寄检测报告