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特性
图像空间分辨率高
背面观测(λ=1.3 μm)
可观测高掺杂基底(Epi-sub)
使用红外激光(λ=1.3 μm)意味着在半导体视场内不会产生OBIC信号,因此可探测到缺陷引发的OBIRCH信号
可以测量4象限电压/电流
可升级到微光显微镜(选配)
应用
漏电流路径定位
IDDQ失效分析
金属缺陷探测
金属线缺陷探测(空,硅节)
触控(过孔)异常阻抗部件探测
金属化过程监控
*:IDDQ (Quiescent power supply current,静态供电电流):IDDQ为MOS管开关完成后流过的静态供电电流。
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试。
以上是关于红外共焦激光失效分析仪的相关介绍,如有其他疑问可以咨询在线工程师为您服务。
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