特性
图像空间分辨率高
背面观测(λ=1.3 μm)
可观测高掺杂基底(Epi-sub)
使用红外激光(λ=1.3 μm)意味着在半导体视场内不会产生OBIC信号，因此可探测到缺陷引发的OBIRCH信号
可以测量4象限电压/电流
可升级到微光显微镜(选配)
应用
漏电流路径定位
IDDQ失效分析
金属缺陷探测
金属线缺陷探测(空，硅节)
触控(过孔)异常阻抗部件探测
金属化过程监控
*:IDDQ (Quiescent power supply current，静态供电电流)：IDDQ为MOS管开关完成后流过的静态供电电流。
机构信息
机构名称：北京中科光析科学技术研究所
简称：中析研究所
单位性质：集体所有制（股份合作）科研检测单位
隶属单位：北京前沿科学技术研究院
机构定位：以科研检测为主的科学技术研究机构；第三方分析测试技术服务单位
资质认可：旗下实验室获得CMA检验检测机构资质认定与CNAS实验室认可
机构荣誉：国家高新技术企业、中关村高新技术企业
检测方针：公正、科学、准确、优质
执业原则：严谨、诚信
经营理念：以客户需求为中心，真正解决顾客难题
服务内容：研发设计、分析检测、试验验证、共性加工、信息及知识产权等
服务行业：航空航天、军工科研、高端制造、新能源与节能环保、石油化工、生物医药、电子信息、新材料研发、汽车及轨道交通、建筑建材等
