红外共焦激光失效分析仪
承诺：我们的检测流程严格遵循国际标准和规范，确保结果的准确性和可靠性。我们的实验室设施精密完备，配备了最新的仪器设备和领先的分析测试方法。无论是样品采集、样品处理还是数据分析，我们都严格把控每个环节，以确保客户获得真实可信的检测结果。
特性
图像空间分辨率高
背面观测(λ=1.3 μm)
可观测高掺杂基底(Epi-sub)
使用红外激光(λ=1.3 μm)意味着在半导体视场内不会产生OBIC信号，因此可探测到缺陷引发的OBIRCH信号
可以测量4象限电压/电流
可升级到微光显微镜(选配)
应用
漏电流路径定位
IDDQ失效分析
金属缺陷探测
金属线缺陷探测(空，硅节)
触控(过孔)异常阻抗部件探测
金属化过程监控
*:IDDQ (Quiescent power supply current，静态供电电流)：IDDQ为MOS管开关完成后流过的静态供电电流。
注意：因业务调整，暂不接受个人委托测试。
以上是关于红外共焦激光失效分析仪的相关介绍，如有其他疑问可以咨询在线工程师为您服务。
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