半导体晶圆表面洁净度测试

信息概要

半导体晶圆表面洁净度测试是确保晶圆生产质量的关键环节，直接影响芯片性能和良率。第三方检测机构通过设备和方法，对晶圆表面污染物、颗粒、残留物等进行全面分析，确保其符合行业标准。检测的重要性在于避免因表面污染导致的电路短路、性能下降或失效，从而保障半导体产品的可靠性和稳定性。

检测项目

• 表面颗粒数量
• 有机污染物含量
• 无机污染物含量
• 金属离子残留
• 表面粗糙度
• 表面疏水性
• 表面能
• 氧化层厚度
• 化学残留物
• 颗粒尺寸分布
• 表面缺陷检测
• 微观形貌分析
• 表面电荷密度
• 吸附物分析
• 表面化学成分
• 薄膜均匀性
• 表面反射率
• 表面污染源追溯
• 晶圆边缘洁净度
• 表面吸附气体分析

检测范围

• 硅晶圆
• 砷化镓晶圆
• 碳化硅晶圆
• 氮化镓晶圆
• 蓝宝石晶圆
• SOI晶圆
• 锗晶圆
• InP晶圆
• 石英晶圆
• 玻璃晶圆
• 聚合物晶圆
• 金属薄膜晶圆
• 多晶硅晶圆
• 单晶硅晶圆
• 超薄晶圆
• 大尺寸晶圆
• 小尺寸晶圆
• 抛光晶圆
• 未抛光晶圆
• 图案化晶圆

检测方法

• 光学显微镜检测：观察表面颗粒和缺陷
• 扫描电子显微镜（SEM）：高分辨率表面形貌分析
• 原子力显微镜（AFM）：纳米级表面粗糙度测量
• X射线光电子能谱（XPS）：表面化学成分分析
• 飞行时间二次离子质谱（TOF-SIMS）：痕量污染物检测
• 红外光谱（FTIR）：有机污染物鉴定
• 椭偏仪：薄膜厚度测量
• 激光散射法：颗粒计数和分布分析
• 接触角测量：表面疏水性评估
• 表面能分析仪：表面能测定
• 电感耦合等离子体质谱（ICP-MS）：金属离子检测
• 气相色谱-质谱（GC-MS）：挥发性有机物分析
• 拉曼光谱：分子结构分析
• 白光干涉仪：表面形貌和粗糙度测量
• 俄歇电子能谱（AES）：表面元素分析

检测仪器

• 光学显微镜
• 扫描电子显微镜（SEM）
• 原子力显微镜（AFM）
• X射线光电子能谱仪（XPS）
• 飞行时间二次离子质谱仪（TOF-SIMS）
• 傅里叶变换红外光谱仪（FTIR）
• 椭偏仪
• 激光颗粒计数器
• 接触角测量仪
• 表面能分析仪
• 电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS）
• 气相色谱-质谱联用仪（GC-MS）
• 拉曼光谱仪
• 白光干涉仪
• 俄歇电子能谱仪（AES）