辐射总剂量（TID）漏电测试

信息概要

辐射总剂量（TID）漏电测试是一种针对电子元器件在辐射环境下性能稳定性的关键检测项目。该测试主要评估器件在电离辐射累积剂量作用下的漏电特性变化，确保其在航天、核工业等高辐射场景中的可靠性。

随着航天器和核设施对电子器件抗辐射要求的提高，TID漏电测试成为筛选合格元器件的必经环节。第三方检测机构通过设备模拟辐射环境，准确测量漏电流参数，为产品设计改进和可靠性验证提供数据支撑。

本检测服务涵盖从基础半导体器件到复杂集成电路的全品类辐射测试，通过国际标准化的测试流程，帮助客户提前发现潜在故障风险，显著降低高辐射环境中的设备失效概率。

检测项目

• 初始漏电流测试
• 辐射后漏电流变化率
• 阈值电压漂移量
• 栅氧层完整性检测
• 界面态电荷密度
• 饱和电流衰减度
• 亚阈值摆幅变化
• 击穿电压稳定性
• 寄生晶体管效应
• 电荷俘获特性
• 辐射诱导泄漏路径
• 偏置温度不稳定性
• 时间相关介质击穿
• 热载流子注入效应
• 辐射敏感节点定位
• 剂量率依赖性测试
• 退火特性分析
• 长期稳定性监测
• 多参数耦合效应
• 失效模式统计分析

检测范围

• 航天级集成电路
• 核电站控制芯片
• 卫星通信模块
• 辐射传感器
• 高能物理探测器
• 军用电子设备
• 空间用存储器
• 抗辐射FPGA
• 航天器电源管理IC
• 核医学成像器件
• 深空探测器元件
• 辐射加固微处理器
• 卫星导航芯片组
• 空间用光电耦合器
• 核反应堆监测电路
• 宇航用AD/DA转换器
• 高可靠性时钟芯片
• 空间飞行器接口电路
• 粒子加速器控制IC
• 抗辐射ASIC

检测方法

• 钴-60γ射线辐照法：使用标准放射源模拟空间辐射环境
• 加速器质子辐照：评估高能粒子对器件的直接影响
• X射线模拟测试：快速验证器件辐射敏感性
• 高温反偏测试：检测辐射后的参数退化
• 电荷泵测量技术：定量分析界面态电荷
• 低频噪声测试：评估辐射诱导缺陷密度
• 热激发电流谱：识别陷阱能级分布
• 深能级瞬态谱：分析辐射产生的深能级缺陷
• 扫描电镜观测：可视化辐射损伤微观结构
• 微光显微镜检测：定位辐射泄漏热点
• 三维器件仿真：预测辐射敏感区域
• 多参数关联分析：建立失效预测模型
• 加速老化试验：评估长期辐射累积效应
• 动态参数测试：监测工作状态下的性能变化
• 辐射后功能验证：确保基本功能完整性

检测仪器

• 钴-60辐射源系统
• 离子加速器
• X射线辐照装置
• 半导体参数分析仪
• 深能级瞬态谱仪
• 低频噪声测试系统
• 扫描电子显微镜
• 微光显微镜
• 热载流子测试平台
• 高精度源测量单元
• 辐射剂量计
• 高温测试探针台
• 真空测试腔体
• 三维形貌分析仪
• 原子力显微镜