半导体材料重金属检测

信息概要

• 半导体材料重金属检测是第三方检测机构提供的服务，针对半导体制造中使用的材料进行重金属杂质分析，确保材料纯度。
• 检测的重要性在于防止重金属污染导致的半导体器件性能下降、可靠性问题，并帮助客户满足环保法规和行业标准。
• 本服务提供全面的检测方案，覆盖多种半导体材料类型，确保准确、的检测结果。

检测项目

• 铅 (Pb)
• 汞 (Hg)
• 镉 (Cd)
• 铬 (Cr)
• 砷 (As)
• 硒 (Se)
• 锑 (Sb)
• 钡 (Ba)
• 铍 (Be)
• 硼 (B)
• 钙 (Ca)
• 钴 (Co)
• 铜 (Cu)
• 铁 (Fe)
• 锂 (Li)
• 镁 (Mg)
• 锰 (Mn)
• 钼 (Mo)
• 镍 (Ni)
• 钾 (K)
• 钠 (Na)
• 锶 (Sr)
• 钛 (Ti)
• 钒 (V)
• 锌 (Zn)
• 铝 (Al)
• 银 (Ag)
• 金 (Au)
• 铂 (Pt)
• 钯 (Pd)

检测范围

• 硅单晶片
• 锗单晶
• 砷化镓晶圆
• 磷化铟衬底
• 氮化镓外延片
• 碳化硅衬底
• 硫化锌光学材料
• 硒化锌红外材料
• 氧化锌半导体
• 氧化铜半导体
• 有机半导体材料
• 聚合物半导体
• 钙钛矿半导体
• 量子点材料
• 石墨烯半导体
• 硅锗合金
• 铝镓砷
• 铟镓砷
• 铟磷化物
• 镓氮化物
• 铟氮化物
• 铝氮化物
• 硼砷化物
• 硅碳化物
• 锗硅材料
• 砷化铟
• 锑化铟
• 碲化镉
• 硫化铅
• 硒化铅

检测方法

• 原子吸收光谱法 (AAS) - 利用原子对特定波长光的吸收来测定元素浓度。
• 电感耦合等离子体质谱法 (ICP-MS) - 通过等离子体离子化样品，并用质谱仪检测，适用于多元素高灵敏度分析。
• X射线荧光光谱法 (XRF) - 通过X射线激发样品，测量荧光X射线来确定元素组成。
• 原子荧光光谱法 (AFS) - 基于原子荧光强度测定元素含量。
• 电感耦合等离子体原子发射光谱法 (ICP-AES) - 使用等离子体激发原子发射光谱进行多元素分析。
• 阳极溶出伏安法 (ASV) - 电化学方法，用于痕量金属的检测和定量。
• 离子色谱法 (IC) - 分离和检测离子，常用于金属阳离子分析。
• 气相色谱-质谱联用法 (GC-MS) - 结合气相色谱和质谱，用于挥发性金属化合物分析。
• 液相色谱-质谱联用法 (LC-MS) - 用于非挥发性金属物种的分离和检测。
• 中子活化分析 (NAA) - 通过中子辐照样品，测量产生的放射性来定元素。
• 激光诱导击穿光谱法 (LIBS) - 使用激光烧蚀样品，分析发射光谱进行快速元素分析。
• 紫外-可见分光光度法 (UV-Vis) - 基于光吸收原理，用于某些金属离子的比色测定。
• 红外光谱法 (IR) - 主要用于有机基团分析，可间接用于金属配位研究。
• 拉曼光谱法 - 提供分子振动信息，可用于半导体材料表征。
• 扫描电子显微镜-能谱法 (SEM-EDS) - 结合形貌观察和元素成分分析。
• 透射电子显微镜 (TEM) - 高分辨率成像，配合能谱进行元素分析。
• X射线衍射法 (XRD) - 用于晶体结构分析，可间接检测元素存在。
• 电热原子吸收光谱法 (ETAAS) - AAS的一种变体，提供更高灵敏度。
• 冷蒸气原子吸收法 (CVAAS) - 专门用于汞元素的痕量检测。
• 氢化物发生原子吸收法 (HGAAS) - 用于砷、硒等易形成氢化物的元素分析。

检测仪器

• 原子吸收光谱仪
• 电感耦合等离子体质谱仪
• X射线荧光光谱仪
• 原子荧光光谱仪
• 电感耦合等离子体原子发射光谱仪
• 阳极溶出伏安仪
• 离子色谱仪
• 气相色谱-质谱联用仪
• 液相色谱-质谱联用仪
• 中子活化分析仪
• 激光诱导击穿光谱仪
• 紫外-可见分光光度计
• 红外光谱仪
• 拉曼光谱仪
• 扫描电子显微镜