半导体集成电路漏电流检测

信息概要

• 半导体集成电路漏电流检测是针对芯片在待机或关闭状态下的电流泄漏进行测量的服务，旨在评估集成电路的功耗性能。
• 检测的重要性在于确保产品符合低功耗标准，防止电池寿命缩短、过热故障，并提高整体可靠性和能效。
• 本机构通过标准化流程提供全面漏电流分析，帮助客户优化设计、降低风险，并满足行业法规要求。

检测项目

• 静态漏电流
• 动态漏电流
• 栅极漏电流
• 源极漏电流
• 漏极漏电流
• 亚阈值漏电流
• 结漏电流
• 隧道漏电流
• 热载流子注入漏电流
• 偏置温度不稳定性漏电流
• 时间相关介质击穿漏电流
• 电迁移引起的漏电流
• 氧化物漏电流
• 界面态漏电流
• 寄生漏电流
• 反向偏置漏电流
• 正向偏置漏电流
• 关态漏电流
• 开态漏电流
• 待机漏电流
• 工作漏电流
• 温度依赖性漏电流
• 电压依赖性漏电流
• 频率依赖性漏电流
• 工艺角漏电流
• 老化后漏电流
• 湿度影响漏电流
• 辐射影响漏电流
• 封装应力漏电流
• 芯片间漏电流差异

检测范围

• CMOS集成电路
• TTL集成电路
• ECL集成电路
• 双极型集成电路
• MOS集成电路
• 混合信号集成电路
• 数字集成电路
• 模拟集成电路
• 射频集成电路
• 功率集成电路
• 微处理器
• 微控制器
• 内存芯片（如DRAM）
• SRAM集成电路
• ASIC（应用特定集成电路）
• FPGA（现场可编程门阵列）
• SoC（片上系统）
• SiP（系统级封装）
• MEMS集成电路
• 光电集成电路
• 高压集成电路
• 低功耗集成电路
• 高温集成电路
• 辐射硬化集成电路
• 消费电子集成电路
• 汽车电子集成电路
• 工业控制集成电路
• 通信集成电路
• 医疗电子集成电路
• 航空航天集成电路

检测方法

• 直流I-V测试：通过扫描电压测量电流，评估静态漏电特性。
• 交流阻抗测试：使用交流信号分析漏电路径的阻抗变化。
• 温度循环测试：在不同温度下监测漏电流，评估热稳定性。
• 电压应力测试：施加高电压加速漏电，进行可靠性评估。
• 时间依赖性介质击穿测试：监测氧化物层漏电随时间的变化。
• 热载流子注入测试：评估高电场下漏电流的增加机制。
• 偏置温度应力测试：结合偏压和高温，模拟老化效应。
• 噪声测量：分析漏电流的波动，识别随机缺陷。
• 电容-电压测试：通过C-V曲线提取界面漏电参数。
• 电荷泵测试：用于评估界面态相关的漏电流。
• 传输线脉冲测试：检测ESD事件引起的漏电。
• 扫描电镜分析：可视化漏电路径，进行失效分析。
• 聚焦离子束测试：实现局部漏电的准确测量。
• 原子力显微镜测试：在纳米尺度表征漏电特性。
• 光谱分析：通过光谱识别漏电的物理机制。
• 建模与仿真：使用SPICE工具预测漏电行为。
• 统计静态时序分析：考虑工艺变异评估漏电分布。
• 功耗分析：测量整体芯片的漏电功耗。
• 红外热成像：检测热点以定位漏电区域。
• 电致发光测试：观察漏电导致的光发射现象。

检测仪器

• 半导体参数分析仪
• 源测量单元
• 示波器
• 网络分析仪
• 频谱分析仪
• 温度试验箱
• 探针台
• 显微镜
• 原子力显微镜
• 扫描电镜
• 聚焦离子束系统
• 参数测试系统
• 逻辑分析仪
• 功率分析仪
• 数据采集系统