静态漏电流测试

信息概要

• 静态漏电流测试是针对电子元件（如半导体器件和集成电路）在直流静态工作条件下的漏电流进行准确测量的检测项目，确保器件在待机或关闭状态下的功耗符合设计标准，提高产品可靠性。
• 检测的重要性在于防止因漏电流过大导致设备功耗增加、电池寿命缩短、温升过高或功能失效，对于汽车电子、消费电子等高可靠性领域至关重要。
• 概括而言，本检测服务涵盖多种参数、环境测试和标准合规性验证，为客户提供全面的质量控制方案，帮助提升产品市场竞争力。

检测项目

• 静态漏电流值测量
• 漏电流与偏置电压关系测试
• 漏电流与温度关系测试
• 漏电流时间稳定性测试
• 湿度对漏电流影响测试
• 电压应力后漏电流测试
• 温度循环后漏电流测试
• 初始漏电流验证
• 长期漏电流漂移测试
• 噪声电流测量
• 绝缘电阻测量
• 击穿电压测试
• 电容漏电流测试
• 二极管反向漏电流测试
• 晶体管集电极-基极漏电流测试
• 晶体管发射极-基极漏电流测试
• MOSFET栅极漏电流测试
• MOSFET源极-漏极漏电流测试
• 集成电路电源电流测试
• 关态漏电流测试
• 开态漏电流测试
• 漏电流分布均匀性测试
• 最小漏电流点确定
• 最大允许漏电流验证
• 漏电流温度系数测定
• 漏电流电压系数测定
• 老化测试后漏电流
• 频率依赖性测试
• 多器件漏电流一致性测试
• 标准符合性测试（如AEC-Q100）

检测范围

• 集成电路 (IC)
• 微处理器 (MPU)
• 微控制器 (MCU)
• 数字信号处理器 (DSP)
• 现场可编程门阵列 (FPGA)
• 专用集成电路 (ASIC)
• 动态随机存取存储器 (DRAM)
• 静态随机存取存储器 (SRAM)
• 闪存存储器
• 可编程只读存储器 (PROM)
• 电可擦可编程只读存储器 (EEPROM)
• 模拟集成电路
• 混合信号集成电路
• 功率集成电路
• 二极管
• 双极结型晶体管 (BJT)
• 场效应晶体管 (FET)
• 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
• 绝缘栅双极晶体管 (IGBT)
• 晶闸管
• 光电二极管
• 光电晶体管
• 图像传感器
• MEMS器件
• 传感器接口IC
• 电源管理IC
• 电压调节器
• 射频集成电路 (RFIC)
• 微波单片集成电路 (MMIC)
• 电力电子模块

检测方法

• 直流电流-电压 (I-V) 特性测试法：施加直流电压，直接测量漏电流大小。
• 电压扫描法：线性或对数方式扫描电压，记录漏电流变化曲线。
• 恒压法：在固定电压下长时间测量稳定漏电流值。
• 温度依赖性测试法：使用温度箱控制温度，测试漏电流随温度变化。
• 湿度依赖性测试法：在可控湿度环境中测量漏电流受湿度影响。
• 时间域测量法：长时间监测漏电流随时间漂移情况。
• 阶梯温度法：逐步升高或降低温度，测量各温度点漏电流。
• 应力测试法：施加电气或热应力后，测试漏电流稳定性。
• 噪声测量法：使用低噪声设备测量漏电流中的噪声成分。
• 绝缘电阻测试法：通过测量高阻值电阻间接计算漏电流。
• 击穿测试法：增加电压直至器件击穿，观察漏电流上升趋势。
• 电容漏电测试法：对电容性器件施加电压，测量放电电流以评估漏电。
• 二极管反向漏电测试法：专门测试二极管在反向偏置下的漏电流。
• 晶体管漏电测试法：测量晶体管各端子之间的漏电流参数。
• 自动测试设备 (ATE) 法：使用自动化系统进行高速、批量漏电流测试。
• 探针台测试法：在晶圆级别使用探针台进行微区漏电流测量。
• 数据记录法：通过数据采集系统连续记录漏电流数据。
• 比较测量法：与标准器件对比漏电流值，确保一致性。
• 环境室测试法：在综合环境（温湿度可控）中测试漏电流。
• 标准测试法：依据JEDEC或ISO等行业标准进行合规性测试。

检测仪器

• 高阻计
• 源测量单元 (SMU)
• 数字万用表 (DMM)
• 静电计
• 参数分析仪
• 半导体参数分析仪
• 自动测试设备 (ATE)
• 探针台
• 温度箱
• 湿度箱
• 环境试验箱
• 电流放大器
• 电压源
• 数据采集系统
• 绝缘电阻测试仪