SiC MOSFET模块气密检测
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信息概要
SiC MOSFET模块是一种基于碳化硅(SiC)材料的高性能功率半导体器件,广泛应用于新能源、电动汽车、工业控制等领域。其气密性检测是确保模块长期稳定运行的关键环节,可防止湿气、灰尘等污染物侵入,避免器件失效或性能下降。第三方检测机构提供的气密性检测服务,通过严格的标准和先进的设备,为客户提供可靠的数据支持,保障产品质量。
检测项目
- 气密性测试
- 漏率检测
- 密封强度测试
- 内部湿度检测
- 压力衰减测试
- 氦质谱检漏
- 真空度测试
- 密封材料分析
- 封装完整性检测
- 热循环气密性测试
- 机械冲击后气密性测试
- 振动后气密性测试
- 高温高湿环境气密性测试
- 低温环境气密性测试
- 气压变化测试
- 气体渗透率测试
- 封装焊接强度测试
- 封装材料气密性评估
- 长期老化气密性测试
- 快速温变气密性测试
检测范围
- 单管SiC MOSFET模块
- 半桥SiC MOSFET模块
- 全桥SiC MOSFET模块
- 多芯片并联SiC MOSFET模块
- 高压SiC MOSFET模块
- 低压SiC MOSFET模块
- 高温SiC MOSFET模块
- 高功率密度SiC MOSFET模块
- 汽车级SiC MOSFET模块
- 工业级SiC MOSFET模块
- 航空级SiC MOSFET模块
- 定制化SiC MOSFET模块
- TO封装SiC MOSFET模块
- DBC封装SiC MOSFET模块
- 陶瓷封装SiC MOSFET模块
- 塑封SiC MOSFET模块
- 金属封装SiC MOSFET模块
- 混合封装SiC MOSFET模块
- 智能功率模块(IPM)
- 集成驱动SiC MOSFET模块
检测方法
- 压力衰减法:通过测量压力变化评估气密性
- 氦质谱检漏法:利用氦气检测微小泄漏
- 气泡法:观察水中气泡判断泄漏点
- 真空法:在真空环境下检测气体渗透
- 示踪气体法:使用特定气体检测泄漏
- 红外热成像法:通过温度分布分析密封性
- 超声波检测法:利用超声波探测泄漏
- 湿度传感器法:监测内部湿度变化
- 气体色谱法:分析内部气体成分
- 光学检测法:通过显微镜观察封装缺陷
- X射线检测法:检查内部结构完整性
- 激光干涉法:测量微小形变评估密封性
- 质谱分析法:准确测定泄漏气体
- 气压循环法:模拟气压变化测试密封性
- 热重分析法:评估材料在高温下的气密性
检测仪器
- 氦质谱检漏仪
- 压力衰减测试仪
- 真空检漏仪
- 湿度测试仪
- 气体色谱仪
- 红外热像仪
- 超声波检测仪
- X射线检测设备
- 激光干涉仪
- 质谱分析仪
- 气压循环测试箱
- 热重分析仪
- 光学显微镜
- 高精度压力传感器
- 环境试验箱
了解中析