TOF-SIMS深度剖析检测

信息概要

TOF-SIMS（飞行时间二次离子质谱）深度剖析检测是一种高分辨率的表面分析技术，能够提供材料表面及界面的化学成分、元素分布和分子结构信息。该技术通过一次离子束轰击样品表面，产生二次离子，并利用飞行时间质谱仪对其进行分析，实现纳米级深度的化学成分剖析。

TOF-SIMS深度剖析检测在半导体、新能源、生物材料、涂层技术等领域具有重要应用价值。其高灵敏度、高空间分辨率和深度分辨能力，使其成为材料表面改性和界面研究的核心工具。通过该检测，可以优化材料性能、提升产品质量，并解决生产过程中的成分分布问题。

检测项目

• 表面元素组成分析
• 深度方向元素分布
• 界面化学成分
• 有机污染物检测
• 无机掺杂分析
• 薄膜厚度测量
• 分子结构表征
• 氧化层分析
• 金属间化合物检测
• 聚合物表面改性分析
• 纳米颗粒成分分布
• 催化剂活性成分分析
• 涂层均匀性评估
• 杂质元素鉴定
• 表面吸附物分析
• 化学键合状态研究
• 材料老化成分变化
• 生物材料表面修饰
• 半导体掺杂浓度
• 腐蚀产物分析

检测范围

• 半导体材料
• 光伏材料
• 锂离子电池材料
• 金属合金
• 陶瓷材料
• 高分子聚合物
• 生物医用材料
• 纳米复合材料
• 光学涂层
• 防腐涂层
• 电子元器件
• 催化剂材料
• 磁性材料
• 超导材料
• 环境污染物
• 食品包装材料
• 化妆品成分
• 药物载体材料
• 纤维材料
• 胶粘剂

检测方法

• 静态TOF-SIMS：用于表面分子结构分析，避免样品损伤
• 动态TOF-SIMS：实现深度剖析，获取成分随深度的变化
• 高分辨率成像：提供微米级空间分辨率的化学成分分布
• 负离子模式：检测电负性较强的元素和化合物
• 正离子模式：分析电正性较强的元素和分子
• 团簇离子束溅射：减少样品损伤，提高深度分辨率
• 低温分析：防止热敏感样品降解
• 多变量统计分析：处理复杂质谱数据
• 深度校准：通过标准样品校准溅射速率
• 3D成像：结合横向和深度信息构建三维成分分布
• 同位素分析：研究同位素分布和标记
• 脉冲离子束模式：提高质量分辨率
• 电荷中和：分析绝缘样品
• 聚焦离子束：实现纳米级定位分析
• 多探测器联用：结合其他表面分析技术

检测仪器

• TOF-SIMS V
• ION-TOF TOF.SIMS 5
• PHI nanoTOF II
• ULVAC-PHI TRIFT III
• IONTOF TOF.SIMS 4
• CAMECA IMS 7f
• PHI TRIFT V nanoTOF
• ION-TOF TOF.SIMS HD
• ULVAC-PHI nanoTOF
• TOFWERK TOF-SIMS
• IONTOF TOF.SIMS 100
• PHI nanoTOF
• CAMECA NanoSIMS 50
• ION-TOF TOF.SIMS 300
• ULVAC-PHI TOF-SIMS